据telecompaper网10月20日报道，是德科技宣布，三星代工厂已采用KeysightE4727B高级低频噪声分析仪(A-LFNA)来测量和分析半导体器件中的闪烁噪声（1/f噪声）和随机电报噪声(RTN)。

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是德科技5G测试解决方案将为硅制造商三星代工厂提供工艺设计套件(PDK)，其中包括基于A-LFNA数据的用于射频(RF)和模拟电路设计和验证的高精度仿真模型，三星代工厂在是德科技解决方案上投入大量资金，可见准确的低频噪声测量和建模在PDK开发中越来越重要，特别是对于5、4和3纳米的先进技术节点。

KeysightE4727BA-LFNA解决方案可测量半导体器件的低频噪声。PathWaveA-LFNA测量和编程软件创建在Path Wave Wafer Pro(WaferProExpress)测量平台之上。工程师可将系统中的测量数据导入是德科技的PathWave器件建模(IC-CAP)和PathWave模型构建器(MBP)软件，提取器件模型用于PDK开发，从而确保高精度射频和模拟低噪声电路设计和仿真的进行。

（编译：墨书）