可控硅触发电路--脉冲信号电路图

上图所示电路的操作与此类似，通过使用R两端的输出来驱动与变压器初级串联的晶体管Q，可以改善脉冲的宽度和上升时间。

当来自UJT的脉冲施加到Q的基极时，晶体管饱和，并且电源电压V_被施加在初级两端，这会在脉冲变压器的次级感应出一个电压脉冲，该电压脉冲被施加到可控硅SCR。当脉冲到IQ的基极被移除时，它关闭。

由变压器中的塌陷磁场引起的电流在初级绕组上感应出一个相反极性的电压，二极管D在此期间为电流提供路径。

DIAC的类似电路图

使用DIAC的类似电路（上图）在由RC时间常数确定的一段时间内为电容缓慢充电。在电容充电到等于DIAC的击穿电压的电压后，它会将DIAC切换到导通状态。

然后电容迅速放电到可控硅SCR的栅极端子，短暂的间隔后，DIAC关闭并重复循环。

这种安排需要相对较低的功率来从直流电源为电容充电，但它会在短时间内提供大功率以实现可靠的可控硅SCR开启，波形如下图所示。

波形图

下图中触发电路使用光耦合器在控制电路和负载之间实现电气隔离。

通过光耦合器触发还可以防止噪声或瞬变造成的错误触发，这种触发技术在固态继电器中特别流行。

光耦合触发电路-可控硅触发电路图

在交流应用中控制可控硅SCR的最常用方法是从同一交流源获得触发信号，并在正半周期期间控制其对可控硅SCR的应用点。

一个简单的电阻触发电路如下图所示。在正半周期内，可控硅处于正向阻断状态。在某个V值下，栅极电流高到足以开启可控硅SCR。

可控硅SCR的准确触发时刻由电阻阻R控制，二极管D确保只有正电流施加到栅极。