此时模拟开关的导通电阻为两个MOS管导通电阻RDS(ON)的并联,它们的特性曲线如下图所示:
NMOS管在信号比较低时的导通电阻较小,而PMOS管则在输入信号较高时的导通电阻较小,两个电阻并联后,则在整个信号的有效范围内都比较低。
当O/C控制引脚为低电平时,两个MOS管均为阻断状态,如下图所示:
有些数据手册也会给出这个导通电阻的信息,如下图所示:(来自intersil的CD4051数据手册)
这种基本的结构也叫做传输栅,有些规格书中以下面的符号表示:
来源:原点资讯(www.yd166.com)时间:2023-04-23 01:17:53作者:YD166手机阅读>>
此时模拟开关的导通电阻为两个MOS管导通电阻RDS(ON)的并联,它们的特性曲线如下图所示:
NMOS管在信号比较低时的导通电阻较小,而PMOS管则在输入信号较高时的导通电阻较小,两个电阻并联后,则在整个信号的有效范围内都比较低。
当O/C控制引脚为低电平时,两个MOS管均为阻断状态,如下图所示:
有些数据手册也会给出这个导通电阻的信息,如下图所示:(来自intersil的CD4051数据手册)
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