关于如何挑选内存，玩家对容量、频率、电压、颗粒来源等等参数早已了然于心。不过对于内存的时序，它究竟有什么用处，对性能有何影响，相信不少玩家都答不上来。最近影驰对内存时序进行了一个简单的科普，快来了解一下吧。

内存时序一般由中间用破折号隔开的4个数字组成，这些数字都表示延迟，也就是内存的反应时间。当内存接收到CPU发来的指令后，通常需要几个时钟周期来处理它，比如访问某一块数据，这就对应时序参数。这个处理时间越短，内存性能越好。

内存时序4个数字对应的参数分别为CL、tRCD、tRP、tRAS，单位都是时间周期。其中CL是一个准确的值，任何改动都会影响目标数据的位置，所以它在时序当中是最关键的一个参数，对内存性能的发挥着举足轻重的作用。

CL（CAS Latency）：列地址访问的延迟时间，是时序中最重要的参数

tRCD（RAS to CAS Delay）：内存行地址传输到列地址的延迟时间

tRP（RAS Precharge Time）：内存行地址选通脉冲预充电时间

tRAS（RAS Active Time）：行地址激活的时间

所以在保障稳定性的前提下，内存时序越低越好，而高频率和低时序是个矛盾体，一般频率上去了，时序就得有所牺牲，要想足够低的时序，频率又很难拔高。

最后还放了一个测试成绩图，在内存频率不变的情况下，可以看到，内存的性能随着时序的变小而不断变强。

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