SiC 与Si性能对比

SiC电力电子器件因其卓越的材料特性可大幅降低功率损耗，提高电气设备综合效率，被誉为新一代“绿色元器件”而备受瞩目。与Si相比， SiC电力电子器件实现低导通电阻、高速开关、高温工作，广泛应用于新能源汽车及充电设备、轨道交通、新能源发电、电网传输、家用电子设备等各个领域，实现了电气设备小型化和高效化，并能在各种严苛环境下稳定工作。

SiC MOSFET器件优势

•相比Si IGBT和MOSFET，实现更高开关速度 ，更低导通电阻，且在全温区参数变化小，更适合高温应用。可大幅降低开关损耗和系统周边元器件，实现小型化。

•国基南方是最早实现6英寸MOSFET批产的IDM企业。

SiC SBD优势

•零反向恢复时间，实现高速开关

•恢复特性随温度变化很小

为了更好地服务广大客户，从 2021年12月25日 ，中国国基南方集团将携手世纪电源网推出SiC电力电子元器件免费申请活动。申请样片最多7种（SiC MOSFET 2种，SiC SBD 5种），每个申请SiC产品最多申请5 pcs-10pcs

！您的申请将提交给 国基公司审核，通过审核后将为您寄送样片！

一、SiC SBD可申请型号：

（最多申请5种，每种SiC SBD最多申请10 pcs）

SiC SBD

二、SiC MOSFET可申请型号：

（最多申请2种，每种最多申请5 pcs）

SiC MOSFET

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