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2019 年 12 月发布的最新版瓦森纳安排的《军民两用商品和技术清单 Dual-Use Goods and Technologies and Munitions List》有共有 243 页，其中正文 241 页，比 2018 年版多了 3 页内容。
清单包括如下
通用技术、通用软件、通用信息安全说明
第一类 特殊材料和相关设备
第二类 材料加工
第三类 电子产品
第四类 计算机
第五类之一 电信
第五类之二 信息安全
第六类 传感器与激光
第七类 导航及航空电子
第八类 海洋技术
第九类 航空航天推进系统
附录一 敏感清单
附录二 非常敏感清单
其中和半导体最相关的莫过于第三类“电子产品”。当然，其他部分也多少会涉及到。
在第三类“电子产品”中，共分五项进行说明，分别是：系统、设备和组件 SYSTEMS, EQUIPMENT AND COMPONENTS；测试、检测、制造设备 TEST, INSPECTION AND PRODUCTION EQUIPMENT；材料 MATERIALS、软件 SOFTWARE、技术 TECHNOLOGY。
1、系统、设备和组件（该部分内容没有变化）
对半导体集成电路进行了诸多限制，涵盖：单片集成电路、混合集成电路、多芯片集成电路、薄膜型集成电路（包括蓝宝石上硅集成电路）、光集成电路、三维集成电路”、单片微波集成电路（MMIC）。具体来说包括：微处理器、微计算机电路、微控制器、DSP、ADC/DAC、光器件、FPGA、FFT 处理器、存储器（SRAM、NVM）、微波器件。
比如 ADC/DAC 的在符合以下条件的都在管制之内。
分辨率 8bit 到 10bit，采样率大于每秒 1.3G SPS；
分辨率 10bit 到 12bit，采样率大于每秒 600M SPS；
分辨率为 12bit 到 14bit，采样率大于 400 M SPS；
. 分辨率为 14bit 到 16bit，采样率大于 250 MSPS；
分辨率大于或等于 16 位，采样率大于 65 M SPS
2、测试、检测、制造设备（该部分内容没有修订）
包括原子层外延设备（ALE）、金属有机化学气相沉积设备（MOCVD）、分子束外延生长设备（MBE）、光刻设备（包括纳米压印）。
其中光刻设备管制范围说明如下：（和 2018 年版本没有变化）
光源波长短于 193 nm；
生产最小可分辨特征尺寸（MRF）为 45 nm 或更小的图案（MRF=曝光光源波长*0.35/NA）
如此看来 EUV 光刻机确实是在管制范围内。
但是控制和不批准是两个概念，控制归控制，但是还是有可能批准的。
确实如此，此前，中芯国际、华虹集团等半国内导体公司进口的很多设备都需要取得出口许可证，但经过双方的交流和沟通 ，设备也都购买回来了。现在我国最先进的工艺也推进到了 14 纳米，也已经实现了量产！
3、材料（该部分内容也没动）
包括衬底材料和 193 纳米用光刻胶。
半导体基板衬底说明非常明确，其范围包括硅片（Silicon Wafer）、锗片、碳化硅片以及 III-V 族的镓和铟材料，以及晶锭、晶棒等。
内容也对高电阻率材料进行了说明，并且标注了注意事项。因为高阻抗率材料可以用来生产超高压、超大电流的器件，可以转用于军事领域。
4、软件
包括为规定的设备开发的软件，以及用来开发 EUV 光刻掩模或掩模版上的图案的软件。
笔者发现 2019 版和 2018 版相对照，该部分有了变化。
修订的这部分内容非常关键。请大家仔细品读。
2018 年的内容表述为：物理模拟软件
2019 年的内容直接表述为：计算机光刻软件。
芯思想研究院认为，这一修订非常关键，直接打在半导体光刻工艺研发的七寸上。
据悉，光刻工艺过程可以用光学和化学模型借助数学公式来描述。光照射在掩模上发生衍射，衍射级被投影透镜收集并会聚在光刻胶表面，这一成像过程是一个光学过程；投影在光刻胶上的图像激发光化学反应，烘烤后导致光刻胶局部可溶于显影液，这是化学过程。计算光刻就是使用计算机来模拟、仿真光刻工艺中光学和化学过程，从理论上探索增大光刻分辨率和工艺窗口的途径，指导工艺参数的优化。计算光刻起源于 20 世纪 80 年代，它一直是作为一种辅助工具而存在。随着工艺的不断进步，设计尺寸不断缩小，器件上最小线宽开始小于曝光波长，越来越接近光刻成像系统的极限，
光的衍射效应变得越来越明显，导致最终对设计图形产生光学影像退化，实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同，这种现象称为光学邻近效应（OPE，Optical Proximity Effect）。为了修正光学邻近效应，便产生了学邻近效应修正（OPC，optical proximity correction），光学临近效应修正已经成为光刻图形处理的关键步骤，变得必不可少。
光刻工程师还使用一些专用的测试图形曝光，收集晶圆上的数据，用来修正软件里的模型，使之计算出的结果和实际尽量吻合 。
现在，在先进工艺特别是 FinFET 工艺中，计算光刻已经成为光刻工艺研发的核心。计算光刻是依靠专用 EDA 工具来实现的，这些 EDA 工具都是有专门的供应商提供的。明导（MENTOR）、新思（Synopsys）都有专用 OPC 软件提供，目前国内的全芯智造也在瞄准 OPC 软件。
5、技术
包括浮点运算计算技术、HEMT 和 HBT 等一系列技术。
笔者发现 2019 版和 2018 版相比，在此部分最后加了一内容。就是有关 12 英寸大硅片的切磨抛（Slicing、Grinding、Polishing）工艺技术。
芯思想研究院认为，新增内容就是针对中国的大硅片企业。
新增内容中“Site front least-squares range（SFQR）”是指硅片平整度，该参数是硅片抛光质量的一个重要指标，据悉，该参数也是抛光过程中比较难于优化的一个参数。
目前，12 英寸大硅片生产技术主要由日本信越半导体（Shin-Etsu）、胜高（SUMCO）和德国世创（Siltronic）掌握，切磨抛设备也几乎被日本控制，上游的原材料高纯多晶硅也被美国、日本和德国所垄断，这也导致国内大硅片技术进展缓慢。
目前国产 8 英寸硅片出货主要还是 MOS 管器件生产用，真正用在集成电路制造中的少之又少；12 英寸主要还是以控片、陪片为主，正片还是在相对低端工艺小批量试用阶段，至于工艺节点就不要去猜测了，反正不可能是 14 纳米和 28 纳米（偷笑）。
遍地开花的大硅片项目引起了美国及其他国家的高度戒备，不知道是幸运还是悲催！但起码有一点，这些大硅片项目又可以借机炒作一把！
我国半导体集成电路产业还是发展阶段，不管是设备、材料、工艺、管理等方面，都和海外半导体有着不少的差距，脖子还是被卡着！
2019 年 12 月发布的最新版瓦森纳安排的《军民两用商品和技术清单 Dual-Use Goods and Technologies and Munitions List》有共有 243 页，其中正文 241 页，比 2018 年版多了 3 页内容。
清单包括如下
通用技术、通用软件、通用信息安全说明
第一类 特殊材料和相关设备
第二类 材料加工
第三类 电子产品
第四类 计算机
第五类之一 电信
第五类之二 信息安全
第六类 传感器与激光
第七类 导航及航空电子
第八类 海洋技术
第九类 航空航天推进系统
附录一 敏感清单
附录二 非常敏感清单
其中和半导体最相关的莫过于第三类“电子产品”。当然，其他部分也多少会涉及到。
在第三类“电子产品”中，共分五项进行说明，分别是：系统、设备和组件 SYSTEMS, EQUIPMENT AND COMPONENTS；测试、检测、制造设备 TEST, INSPECTION AND PRODUCTION EQUIPMENT；材料 MATERIALS、软件 SOFTWARE、技术 TECHNOLOGY。
1、系统、设备和组件（该部分内容没有变化）
对半导体集成电路进行了诸多限制，涵盖：单片集成电路、混合集成电路、多芯片集成电路、薄膜型集成电路（包括蓝宝石上硅集成电路）、光集成电路、三维集成电路”、单片微波集成电路（MMIC）。具体来说包括：微处理器、微计算机电路、微控制器、DSP、ADC/DAC、光器件、FPGA、FFT 处理器、存储器（SRAM、NVM）、微波器件。
比如 ADC/DAC 的在符合以下条件的都在管制之内。
分辨率 8bit 到 10bit，采样率大于每秒 1.3G SPS；
分辨率 10bit 到 12bit，采样率大于每秒 600M SPS；
分辨率为 12bit 到 14bit，采样率大于 400 M SPS；
. 分辨率为 14bit 到 16bit，采样率大于 250 MSPS；
分辨率大于或等于 16 位，采样率大于 65 M SPS
2、测试、检测、制造设备（该部分内容没有修订）
包括原子层外延设备（ALE）、金属有机化学气相沉积设备（MOCVD）、分子束外延生长设备（MBE）、光刻设备（包括纳米压印）。
其中光刻设备管制范围说明如下：（和 2018 年版本没有变化）
光源波长短于 193 nm；
生产最小可分辨特征尺寸（MRF）为 45 nm 或更小的图案（MRF=曝光光源波长*0.35/NA）
如此看来 EUV 光刻机确实是在管制范围内。
但是控制和不批准是两个概念，控制归控制，但是还是有可能批准的。
确实如此，此前，中芯国际、华虹集团等半国内导体公司进口的很多设备都需要取得出口许可证，但经过双方的交流和沟通 ，设备也都购买回来了。现在我国最先进的工艺也推进到了 14 纳米，也已经实现了量产！
3、材料（该部分内容也没动）
包括衬底材料和 193 纳米用光刻胶。
半导体基板衬底说明非常明确，其范围包括硅片（Silicon Wafer）、锗片、碳化硅片以及 III-V 族的镓和铟材料，以及晶锭、晶棒等。
内容也对高电阻率材料进行了说明，并且标注了注意事项。因为高阻抗率材料可以用来生产超高压、超大电流的器件，可以转用于军事领域。
4、软件
包括为规定的设备开发的软件，以及用来开发 EUV 光刻掩模或掩模版上的图案的软件。
笔者发现 2019 版和 2018 版相对照，该部分有了变化。
修订的这部分内容非常关键。请大家仔细品读。
2018 年的内容表述为：物理模拟软件
2019 年的内容直接表述为：计算机光刻软件。
芯思想研究院认为，这一修订非常关键，直接打在半导体光刻工艺研发的七寸上。
据悉，光刻工艺过程可以用光学和化学模型借助数学公式来描述。光照射在掩模上发生衍射，衍射级被投影透镜收集并会聚在光刻胶表面，这一成像过程是一个光学过程；投影在光刻胶上的图像激发光化学反应，烘烤后导致光刻胶局部可溶于显影液，这是化学过程。计算光刻就是使用计算机来模拟、仿真光刻工艺中光学和化学过程，从理论上探索增大光刻分辨率和工艺窗口的途径，指导工艺参数的优化。计算光刻起源于 20 世纪 80 年代，它一直是作为一种辅助工具而存在。随着工艺的不断进步，设计尺寸不断缩小，器件上最小线宽开始小于曝光波长，越来越接近光刻成像系统的极限，
光的衍射效应变得越来越明显，导致最终对设计图形产生光学影像退化，实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同，这种现象称为光学邻近效应（OPE，Optical Proximity Effect）。为了修正光学邻近效应，便产生了学邻近效应修正（OPC，optical proximity correction），光学临近效应修正已经成为光刻图形处理的关键步骤，变得必不可少。
光刻工程师还使用一些专用的测试图形曝光，收集晶圆上的数据，用来修正软件里的模型，使之计算出的结果和实际尽量吻合 。
现在，在先进工艺特别是 FinFET 工艺中，计算光刻已经成为光刻工艺研发的核心。计算光刻是依靠专用 EDA 工具来实现的，这些 EDA 工具都是有专门的供应商提供的。明导（MENTOR）、新思（Synopsys）都有专用 OPC 软件提供，目前国内的全芯智造也在瞄准 OPC 软件。
5、技术
包括浮点运算计算技术、HEMT 和 HBT 等一系列技术。
笔者发现 2019 版和 2018 版相比，在此部分最后加了一内容。就是有关 12 英寸大硅片的切磨抛（Slicing、Grinding、Polishing）工艺技术。
芯思想研究院认为，新增内容就是针对中国的大硅片企业。
新增内容中“Site front least-squares range（SFQR）”是指硅片平整度，该参数是硅片抛光质量的一个重要指标，据悉，该参数也是抛光过程中比较难于优化的一个参数。
目前，12 英寸大硅片生产技术主要由日本信越半导体（Shin-Etsu）、胜高（SUMCO）和德国世创（Siltronic）掌握，切磨抛设备也几乎被日本控制，上游的原材料高纯多晶硅也被美国、日本和德国所垄断，这也导致国内大硅片技术进展缓慢。
目前国产 8 英寸硅片出货主要还是 MOS 管器件生产用，真正用在集成电路制造中的少之又少；12 英寸主要还是以控片、陪片为主，正片还是在相对低端工艺小批量试用阶段，至于工艺节点就不要去猜测了，反正不可能是 14 纳米和 28 纳米（偷笑）。
遍地开花的大硅片项目引起了美国及其他国家的高度戒备，不知道是幸运还是悲催！但起码有一点，这些大硅片项目又可以借机炒作一把！
由于美国操控的《瓦森纳安排》对我国的技术封锁，我国半导体集成电路产业还是发展阶段，不管是设备、材料、工艺、管理等方面，都和海外半导体有着不少的差距，脖子还是被卡着！
中芯国际潜心研发核心技术
，虽然目前技术水平依旧不及全球巨头台积电和三星，但该公司却依旧能够凭借量产14nm芯片的能力走在行业前列。中芯国际继续打造14nm工艺的基础，并且成功在2019年年底，实现14nm芯片的量产，以中芯国际的发展速度，纯国产芯片终将在全球芯片领域占有一席之地。在半导体产业实现了怼《瓦森纳协定》清单一定突破。
大家知道台积电有了依赖的荷兰ASM公司的EUV光刻机目前正在试量产5nm芯片，而5nm芯片的生产还需要中国提供的5nm蚀刻机。
而在这条生产线上台积电将搭载5nm等离子体蚀刻机便是来自于深圳中微半导体。目前该技术已经得到了台积电的验证。现在随着中徽半导体生产的5nm蚀刻机进入台积电代工线，中国将拥有新的反制美国的利器。部分内容来自网络版权属于原作者传播正能量科普之目的如侵犯您合法权益请联系删除谢谢。《瓦森纳协定禁运清单》
在《瓦森纳安排》电信类目里，华为5G技术已经超过所有国家，可以用世界第一的名号，以至于让美国气急败坏的全力打压。
您觉得，那么下面还有清单里面那些类目作为我们的突破方向呢？
