BT（Bidirectional Thyristor，双向可控硅）和BTA（Bidirectional Thyristor with Alternating Current, 带有交流的双向可控硅）都是一种双向可控硅。它们的主要区别如下：

1. 构造和结构：BT和BTA的构造和结构基本相似，都由四个PN结的硅材料组成。BTA相比BT在结构上有一些改进，使其更适合处理交流电流。

2. 适用电流范围：BT适用于直流和小直流的双向电流控制，其电流范围较窄，一般在几十安培至几百安培。而BTA则适用于交流电流的双向控制，其电流范围更广泛，从几十安培到几千安培不等。

3. 电压等级：BT和BTA具有不同的电压等级。BTA通常具有更高的电压等级，比如600V、800V、1200V等，而BT的电压等级较低，一般在200V至800V之间。

4. 应用领域：BT和BTA都广泛应用于交流电压控制、直流电机调速、交流电源控制等领域。BT主要用于低电压、小功率的应用，比如家电电源控制等；而BTA则适用于高电压、大功率的应用，比如电机驱动、大功率电源控制等。

总的来说，BT和BTA都是具有双向导电能力的可控硅器件，其主要区别在于适用电流范围、电压等级和应用领域。选择哪种器件取决于具体的应用需求和电气要求。

可控硅是一种电子器件，它可以在一定条件下控制电流的通断。
BT和BTA都是可控硅的一种类型，它们的区别主要体现在封装形式和电流容量上。
BT是一种小功率可控硅，通常采用TO-92封装，适用于低电流和低功率的场合。
它的主要特点是体积小、价格低廉，常用于家用电器、电子设备等领域。
BTA是一种大功率可控硅，通常采用TO-220封装，适用于高电流和高功率的场合。
它的主要特点是能够承受较大的电流和功率，具有较好的散热性能，常用于电力电子、工业控制等领域。
因此，BT和BTA的区别在于封装形式和电流容量。
BT适用于低功率场合，而BTA适用于高功率场合。