本次独立讲解“FET场效应管”，由于其核心也为“PN结“，同样会在”无源器件“的基本参数外，引入”自身响应速度“这一指标，在使用此类器件时，需特别注意其”速度“是否能满足设计要求；

而“UJT单节晶体管”多用于“张弛振荡器”，只做“简单介绍”，需要使用时，额详细查询相关资料；

01：UJT单节晶体管:区分PUT:；

主要考虑：基极间电阻Rbb、分压比η（一般为0.3--0.85）、发射极饱和压降Veo、反向电流Ieo、峰点电流Ip、精度、封装、、、；

主要为，常用的国产单结晶体管的型号主要有2种，BT33和BT35:

BT33:PT：450mW，其余参数可查；

BT35:类似BT33；

注意：“PUT”：

“PUT”：“程控单结晶体管-PUT（Programmable Uniguction Transistor）”，又称“可编程单结晶体管”或“可调单结晶体管”，其实质是“一个N极门控晶闸管的功能”，但其与“单结晶体管用途类似”，因此将其归结于“单结晶体管”；

举例有：“安森美公司”的“2N6027”、“2N6028”；

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02：FET:

主要考虑8个：最小开启电压 Vgs（th）、 最大栅源电压 Vgs（max）、 最大漏源电压 Vds、最大漏源电流 Id、导通电阻 Rds（on）、 功率（耗散功率）、速度、封装、、、；

有为：低开启电压的场效应管，需考虑开启电压；

如：“MOS管”的规格很多，想要2.5V导通，就需要选择“导通电压在2.5V以下”的“MOS管”；

常用MOS管(IRF是International Rectifier (国际整流器公司))，存在対管，可查，有：

功率级(17个)：

IRFZ44N： N沟道，55V、49A、<=22mohm；

IRFP250N：N沟道，200V、30A、<=75mohm；

IRF250 : N沟道，200V、30A、<=85mohm，金属封装，封装类似3DD15；

IRFP260N：N沟道；

IRF520 : N沟道，100V、10A/7A(FI)、<=270mohm；

IRF540A： N沟道，100V、22A、<77mohm，低导通内阻，快速开关，低热敏电阻；

(特别注意：IRF540 是N沟道 ， IRF9540是 P沟道，是一对相当不错的场管)

IRF640 : N沟道，200V、18A、<=180mohm；

IRF830： N沟道，500V、4.5A、1.5 ohm；

IRF840： N沟道，500V、8.0A、0.85 ohm；

IRF841： N沟道，450V、8.0A、0.85 ohm；

IRF842： N沟道，500V、7.0A、1.10 ohm；

IRF843： N沟道，450V、7.0A、1.10 ohm；

IRF3205: N沟道，55V、110A、<=8mohm，IR的HEXFET功率管，极低导通电阻；

IRFB3206：N沟道，55V、110A、<=3mohm，IR的HEXFET功率管，极低导通电阻；

IRFB4020:N沟道，200V、18A、<=100mohm；

IRF7416： P沟道MOS管，HEXFET，芯片封装，功率不大；

IRF7805： N沟道MOS管，HEXFET，芯片封装，功率不大；

此外需注意（5*2 = 10个）：

2SK1056/2SJ160 (日立160V7A100W)-----推荐：2SK1058/2SJ162 (日立160V7A100W)；

----2SK1056为系列：2SK1056、2SK1057、2SK1058；

----2SJ160为系列：2SJ160、2SJ161、2SJ162；

2SK1529/2SJ200 (东芝180V10A150W)；

2SK1530/2SJ201 (东芝200v12A200W)；

K字头的是N沟道，J字头的是P沟道；这些场管不错，但价格有些高；

还有SI介绍以下2组：

SI2302：低压N型MOS管；--- SI2301：低压P型MOS管；

SI2304：低压N型MOS管；--- SI2305，低压P型MOS管；

实际使用时，需根据“需求”，选择“合适器件”，若“把握不够”，可使用“足够裕度的器件”先制作“Demo”，验证”电路可行性“，在后续“优化/升级”时，再进行“器件替换”；

Edit date：2017-08-04