您好，大品牌逆变器通常会使用IGBT（绝缘栅双极性晶体管）作为H桥的开关元件。IGBT具有较高的开关频率、较低的导通损耗和较高的耐压能力，适用于高功率应用。

与MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）相比，IGBT的导通能力更强，适用于大电流和高电压的应用场景。因此，在大品牌逆变器的H桥中，IGBT更常见。

大品牌逆变器h桥一般用的是IGBT，IGBT耐压值高，功率大，工作稳定可靠。