上世纪80年代东芝以EEPROM为基础发明了更好用的存储器——Flash闪存。NOR是最早出现的闪存类型，但得到更广泛应用的则是1984年由东芝宣布的NAND型闪存。

在以上几种记忆体技术当中，NAND闪存的出现最晚，但它的意义却非比寻常。

闪存的特点使得它比DRAM内存更具扩展性，除了通过半导体制程微缩之外，3D堆叠和多位存储单元技术也为闪存容量的扩展提供了宽广的空间。特别是3D堆叠技术发展促成了当前闪存容量的突飞猛进。下图是东芝96层堆叠BiCS4闪存，单颗容量可达1.33TB。

在3D闪存的帮助下，480GB已经取代120GB和240GB，成为新的固态硬盘主流容量级。960GB不再是土豪专属，2TB甚至4TB容量的消费级固态硬盘也不断涌现出来。