财联社3月26日讯（编辑 宣林）欧洲芯片制造商英飞凌近期官宣以8.3亿美元现金（57亿人民币）收购氮化镓全球技术领导者GaN Systems，并斥资20亿欧元扩大其位于马来西亚居林和奥地利菲拉赫工厂的氮化镓和碳化硅芯片的产能。英飞凌功率和传感器系统总裁怀特表示，英飞凌特别看好氮化镓（GaN）芯片。该公司预测，到2027年，氮化镓芯片市场将以每年56%的速度增长。

GaN是第三代半导体材料的典型代表，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，国家“十四五”研发计划明确将大力支持第三代半导体产业的发展。国联证券分析，英飞凌收购GaN Systems一方面体现了GaN在汽车、数据中心、工业等应用领域的未来发展前景，另一方面也预示着产业链竞争或将进入整合阶段。

氮化镓目前与新能源汽车、光伏、5G、消费快充等下游领域深度绑定。2017年-2021年，氮化镓市场规模从78.7亿元提高至358.3亿元，年复合增长率40.1%。头豹研究院指出，随着氮化镓在新能源汽车应用渗透率提升，及在垃圾处理领域等应用的拓展，预计到2026年氮化镓市场规模将增长至1029.7亿元，年复合增长率27.7%。

氮化镓产业链上游为衬底和外延，中游为器件制造商。碳化硅衬底 氮化镓外延层可制成射频器件，碳化硅基氮化镓射频器件可应用于5G宏基站、卫星通信、微波雷达、航空航天等军事/民用领域；硅衬底 氮化镓外延层可制成功率器件，硅基氮化镓功率器件可在大功率快充充电器、新能源车、数据中心等领域实现快速渗透；蓝宝石/氮化镓衬底 氮化镓外延层可制成光电器件，氮化镓光电器件在MiniLED、MicroLED、传统LED照明领域应用优势突出。

衬底材料中，碳化硅衬底与氮化镓器件匹配度高、性能好、且成本相对较低，受到广泛应用。全球碳化硅衬底市场集中度高，美国企业CREE和II-VI集团占据约60%的市场份额，天岳先进、天科合达等中国本土企业合计市占率仅10%左右。外延片材料方面，苏州晶湛、聚能晶源、聚灿光电是中国生产制造氮化镓外延片的代表企业。

氮化镓器件制造方面，IDM模式的代表厂商有三安光电、英诺赛科、士兰微电子、苏州能讯、江苏能华、大连芯冠科技等公司，Fabless厂商主要有华为海思、安谱隆等，同时海威华芯和三安集成可提供GaN 器件代工服务（Foundry模式）。

业内人士指出，氮化镓功率器件技术在快充领域最为成熟，在数据中心、工业领域也已经逐步开始使用，技术相对比较成熟。根据天风证券的测算，若全球采用硅芯片器件的数据中心都升级为氮化镓功率芯片器件，将减少30%-40%的能源浪费。

氮化镓器件用于新能源汽车的车载充电器、DC-DC转换器等领域时，可在节能70%的同时使充电效率达到98%，增加5%续航，目前已有丰田、宝马等多家汽车厂商入局氮化镓领域。据Yole预测，车用GaN将从2021年的530万美元增长到2027年的3.09亿美元，CAGR高达97%。

上市公司方面，除了上述的天岳先进、聚灿光电、三安光电、士兰微外，另据财联社梳理，富满微、金溢科技、利亚德、北方华创、扬杰科技、赛微电子、华灿光电、新洁能、天箭科技、易事特、台基股份、兆驰股份也在氮化镓领域有相关业务布局，具体情况如下：