晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区b (Base)，两侧部分是发射区e （Emitter）和集电区c (Collector)，排列方式有PNP和NPN两种。但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，其中，N是负极的意思（代表英文中Negative），N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正极的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的。

基极与发射极的正向偏置形成电流（相当于二极管的正向偏置）→集电极与发射极的反向偏置形成电流。

三极管只有一个电源时，总会阻塞电流↓

增加一个正向偏置的电源↓

第二个电源的正向偏置形成电流，进一步引起了第一个电源两端的电流流动↓

基极 发射极→集电极↓