三极管的通流能力是有限的，如果我们选定的三极管集电极的额定电流为500mA，那么Ic的最大值Ic(max)=500mA。所以，R2的选值不能太小，避免Ic太大导致三极管烧毁。通过公式，我们去理解饱和的概念变得更容易：集电极电阻越大越容易饱和；饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，Ic不受Ib之控制，因为Vout已经接近GND了，不可能凭空产生负电压。
如果，输入电压为3.3V，若要求设计时三极管处于饱和状态，则Ic(饱和)=12mA，那么Ib(min)=Ic(饱和)/β=12mA/50=0.24mA，则基极限流电阻R1(max)=(3.3V-0.6V)/Ib(min)=11.25kΩ。若要求输入3.3V时，三极管饱和，并且我们要求考虑三极管放大系数β、电阻、VCC电压的离散型、精度、波动等因素，我们需要留够足够的余量。于是我们一般此时可能选择R1为1kΩ电阻，让三极管足够饱和。另外R1的阻值也不能太小，需要考虑Ib的额定电流。另外R1、R2都不能太小的一个原因是我们需要考虑功耗和节能。
若把图中的NPN三极管换成N沟道的MOS管，原理也是一样的，当输入高电平时，管子导通，输入低电平时，管子截止，如下图所示。但此时需要注意的是，让MOS进入打开的状态条件是GS的电压，这个电压比三极管的大约0.6V不同，一般在2V以上。所以，低压控制高压时要注意GS的阈值电压。但因为GS的稳态电流非常小，几乎为0，所以能耗情况比三极管好。如果效率有要求，Rds（on）跟输入侧的电压也是相关的。需要考虑VG在不同电压情况下的，导通阻抗。
MOSFET电平转化电路
因为这样的电路是一个反向的逻辑，因为输入为高电平时，输出为低电平。我们很可能连续用两个三极管把逻辑做成正向逻辑。此时R2就很可能成为下一级电路的R1，此时的R2就既不能太大，也不能太小，如图31.5所示。
两级三极管电平转化电路
（3）OC、OD电路。
对于OC（Open Collector，集电极开路）、OD（Open Drain，漏极开路）电路上拉电阻的功能主要是为集电极开路输出型电路提供输出电流通道。有些芯片他们的一些输出管脚，集成了三极管或MOSFET，但是没有集成上拉电阻到VCC。典型的OC电路如图31.6所示。所以，这些管脚其实就是一个集电极，而且是个开路，所以就称为OC。按照我们介绍的三极管的外围电路，这个上拉电阻是必须的内容，我们在原理图中在OC、OD电路放置的上拉电阻，原本就是让电路功能完整的必须内容。
集电极开路电路
OC或OD的由来，是用于设计一种“线与”电路。两个或多个输出信号连接在一起可以实现逻辑“与”的功能。如图31.7所示，两个输入只要有其中一个输入为低电平，就可以让输出为低电平，两个输入都是高电平时，输出才为高电平。
