在栅极与源极、栅极与漏极之间加二氧化硅绝缘层隔离，就得到绝缘栅型场效应管。它的栅极为铝，所以也叫MOS管。其栅源之间的电阻比结型场效应管大得多。一般认为无穷大。

分类：N沟道增强型管、N沟道耗尽型管、P沟道增强型管、P沟道耗尽型管。

增强型管：栅-源电压为0时，漏极电流也为0的管子。

耗尽型管：栅-源电压为0时，漏极电流不为0的管子。

结构示意图及符号：

1）Ugs=0时，无导电沟道，所以不论Uds怎么变化，漏极电流为0

2）Ugs>0，Uds=0时，栅极电流为0，但此时耗尽层出现，Ugs继续增大，耗尽层增宽，且出现反型层，反型层就是漏源之间的导电沟道。

耗尽层的出现与沟道的行成

3）当Ugs大于开启电压Ugs（th）且到一定数值时，由于Uds的存在，将出现预夹断，此时Uds继续增大将不会增大id，也即是进入恒流区。id仅由Ugs决定。

a：Uds<Ugs-Ugs（th）

b：Uds=Ugs-Ugs（th）

c：Uds>Ugs-Ugs（th）

在c阶段时，对应每一个确定的Ugs，就有一个确定的id。