转移特性与输出特性
与结型场效应管一样,三个工作区:可变电阻区 恒流区 夹断区
N沟道耗尽型MOS管结构示意图及符号:
由于在二氧化硅绝缘层中参杂了大量正离子,所以Ugs=0时,也存在反型层,漏源之间也存在导电沟道,只要有Uds>0,就会有id,Uds从正减小到0再到负值过程中,反型层不断变窄,id不断减小,直到为0,此时的Ugs称为夹断电压Ugs(off)
注意:与N沟道结型场效应管一样的是,夹断电压都为负值,但是结型场效应管只能在Ugs<0时工作,N沟道耗尽型MOS管的Ugs可在一定正负范围工作。
P沟道MOS管P沟道增强型:开启电压Ugs(th)<0,Ugs<Ugs(th)时管子开通,漏源之间加负电源;
P沟道耗尽型:夹断电压Ugs(off)>0,Ugs可在正负一定范围内控制id,漏源电压也为负电源。
VMOS管可以承受较大功率,结构设计上解决了散热问题的一种MOS管。
N沟道增强型VMOS管结构示意图
2N7000 N沟道增强型VMOS管
场效应管特性及符号总结