▲图6.联电探讨的功率模块技术

随着SiC模块的发展，围绕Tier1和芯片厂家的各自路线是可以探讨的，之前没有特别的关注，接下来要花时间把这些信息收集起来进行归档和整理。

▲图7.功率模块的封装

每家的技术路线和考量是不同的。以安森美为例，它的发展重点也会放在塑封压铸模块上，也可以做直接水冷。压铸模块跟凝胶模块的差异，模块功率密度可以更高，杂散电感可以更低，尤其是碳化硅可以接受的工作温度更高，到200℃甚至以上。碳化硅的工作温度可以是很高的。

同样的系统价钱，用压铸模块应该可以做到更大潜力和差异化——安森美现在跟很多车厂讨论，为他们做一些特别制造的主驱模块。冷却塑封模块的特性，除了比较低的杂散电感和高功率密度之外，在扩展性方面也相对比较好。安森美可以用三个半桥的模块做成150kW的功率，也可以把它们两个合在一起做成300kW，基本上占用的空间没有太大差异。跟凝胶模块相比，压铸模块的生命周期是比较长的。在安森美双面冷却的模块里，IGBT是一个智能芯片，主要内置了两个传感器。一个是温度传感器（精准的温度检测），另外一个是电流检测也内置在里面（总体反应时间会比较快，能更好地去保护系统）。

▲图8.安森美的技术路线

小结：在功率半导体的竞争中，国内企业国产替代的空间是很大的，从未来的市场需求来看，供应链安全的要求被放置在很高的位置。