3、从50℃到250℃的翘曲位移评估
从50°C到250°C的位移是使用DIC通过参考50°C时的翘曲来测量的。结果如图13所示，该图还显示了50°C和250°C时的翘曲。50°C和250°C之间的位移是通过从50°C 时的翘曲减去250°C的翘曲获得的。
使用Cu基板的模块在50℃时的翘曲（图13a）主要反映了陶瓷基板2的Cu布线图案，模块呈现向上翘曲，这与室温下的激光显微镜测量结果一致。使用SUS410基板的模块在50°C 时的翘曲（图13d）也与激光显微镜测量结果一致。将温度提高到250°C显着减轻了使用铜基板的模块的翘曲（图13b）。
根据这些结果，使用铜基板的模块在50°C和250°C之间的位移为80 μm（图13c）。另一方面，使用SUS410基板的模块在250°C时的翘曲（图13e) 与50°C时的差异很小（图13d）。结果，该模块在50°C和250°C 之间获得了35 μm 的位移。这证实了该趋势与通过在室温下测量翘曲获得的趋势相同。
模拟的翘曲位移如图14所示。初始条件在室温下是无应力的。通过将温度升高到 250°C 来模拟翘曲。如上所述，这些条件用于获得两个温度之间的位移，但不能用于获得绝对翘曲。评价了陶瓷基板的上表面的翘曲。
图14a和14b分别显示了使用 Cu和SUS410基板的模块的模拟结果。确认模拟结果显示出与测量结果相同的趋势。此外，基板的CTE与50°C至250°C的翘曲位移之间的关系如图15所示。其中包括使用Al、Cu-W 和复合材料1和2的模块的结果，如表I所示。使用具有相对较大CTE的基板（如 Cu和Al）的模块表现出过度翘曲，并且可以预测在长期可靠性方面存在一些问题。但是，如果基板具有与陶瓷基板相似的CTE，则可以预期长期可靠性会提高。为了证实这一点，将在未来的工作中进行热循环。此外，必须考虑电源循环期间的翘曲。
4、双脉冲测试结果
使用应用了对策的功率模块进行了双脉冲测试（图8 ）。测试在加热到225°C的热板上进行。模块的等效电路如图16所示。
