2000年，千禧之年，尼康向193nm光刻机发起冲击，想要彻底垄断光刻机行业。

然而研发了两年，砸了几十亿，却仍然没有攻克光源技术，这让尼康大为恼火。就在此时，一场学术研讨会改变了整个行业。

学术会上，一名来自台积电的工程师说：“可以利用水的折射改变光源，从而获得波长更窄的光线，为什么一定要在空气里传播？”

这人就是林本坚。

林本坚，1942年出生于越南，美国俄亥俄州立大学电机博士，在2000年时就职于台积电，只是一名工程师。

但之后，林本坚发明了浸润式微影技术，为台积电立下了汗马功劳。成为了台积电研发副总，在2008年当选了美国国家工程学院院士，2014年还成为了台湾“中央研究院”院士。

这简直是醍醐灌顶啊！一个简单方法就能解决尼康遇到的难题。

然而，当时的尼康似乎着了魔，根本听不进去，而且不愿意相信自己花了两年时间，耗资几十亿没有解决的问题，居然被一个毫不起眼的工程师，几句话解决了。

为了说服尼康，林本坚又发表了论文，阐述了理论，并且说这种方法可以得到157nm的光线，比193nm更具优势。

然而，此时的尼康不仅不听取建议，还扬言要封*林本坚。

此时的台积电看不下去了，作出了一个决定——与ASML合作，逆袭尼康。

而ASML也早有此意，于是两家公司一拍即合。

经过一年的努力，全球首台浸润式光刻机诞生了，并于2003年发布。

这台光刻机在精度上超过了尼康，第二年，更为先进的157nm光刻机研发成功，ASML和台积电的合作成功逆袭了尼康。

依靠浸润式光刻机，台积电将工艺制程直接推向了32nm，摩尔定律也延续了三代。

ASML也一战成名，成为了全球领先的光刻机制造商。

早在上世纪80年代，EUV光源就开始研发了，当时的研究人员追求4nm—40nm的多个波长。

除了EUV外，电子束光刻机、离子束光刻也同时在研发。

但ASML最终选择了13.5nm的EUV光源，它认为这种技术最适合，也是最有希望成功的，同时未来大规模生产的成本也能负担的起。

事实证明，ASML选择正确。

1990年，EUV 光学教授 Fred Bijkerk 在荷兰投影了第一张 EUV 图像。几年后，EUV 光刻的工业化在欧洲启动了。

1998年，ASML、德国蔡司、牛津仪器等公司成立了EUV研发联盟，共同研发EUV技术。

此外，ASML又与飞利浦、德国计量研究院、美国EUV LLC、弗劳恩霍夫仪器公司等联手，确保EUV相关配件的供应。

2001年，ASML打造出了EUV原型系统，这使得EUV光刻机成为了可能。

2006年，第一套EUV系统研发成功，它用事实证明了EUV技术在半导体制造领域的可行性，EUV光刻机制造也提上了日程。

2009年，ASML在公司总部建设了10000平方米的洁净室，用于EUV光刻机的研发和生产。