日常生活中常常听到半导体、芯片、集成电路，但是你一定不清楚它们到底有什么区别和联系。

半导体：顾名思义，在常温下导电性既不像导体那样导电性很好，也不像绝缘体那样导电性那么差，就是介于二者之间。常见的有硅、锗、砷化镓。

半导体主要由四个组成部分组成：集成电路、光电器件、分立器件、传感器。同时形成了三代产品。

第一代：以硅、锗为代表

从1954年5月第一颗硅晶体管到今天的微处理器，已有近70年的历史。硅引领了半导体行业的迅速发展，其技术成熟、性价比高，被广泛地应用在集成电路领域。

我国在2000年后，才开始大力发展半导体行业。中兴、华为事件之后，彻底转变了思路，开始走上自主研发之路。

第二代：以砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）、磷化铟（InP）为主

砷化镓具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。

锑化铟制造的晶体管具有相对较高的电子迁移率，运算速度将提升50%，消耗功率也将明显下降。

磷化铟具有饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高、禁带宽度高等诸多优点。

砷化镓磷化铟可以制作集成电路衬底、红外探测器、光通信的关键器件等。而磷化铟比砷化镓优势更强，可以开展光纤及移动通信的新产业，同时可以推动卫星通信业向更高频段发展。

第三代：以氮化镓（GaN）、碳化硅（SIC）、氧化锌(ZnO)、金刚石为代表

第三代半导体普遍拥有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。

这个特点，使其可以用在5G、光伏、新能源汽车、快充等多个领域。

第三代半导体兴起于本世纪，各国的研究水平相差不远，我国处于相对领先地位，如果持续地加大研发投入，或可弯道超车。

集成电路就是把电路小型化的方式，英文名字是integrated circuit，简称IC。这种方式主要应用在半导体设备上，也包括一小部分被动组件。

其主要是利用光刻、刻蚀技术将晶体管、微型电容、电阻、电感及线路布局在一小块晶圆上，最后进行封装。

集成电路按产品种类分为四大类：微处理器，存储器，逻辑器件，模拟器件。按照电路属性分：模拟集成电路、数字集成电路和混合信号集成电路。

芯片：又称微电路、微芯片、集成电路，是指内含集成电路的硅片，体积很小，常常是手机、电脑等电子设备的一部分。

可以说芯片是集成电路的载体，也是集成电路的主要表现方式。在谈起CPU、GPU、存储器时，我们常把集成电路称作芯片。

1、二者表达侧重点不同。