（14）

其中π1和πt分别是纵向和横向的压阻系数。纵向和横向的应力表示为σ1和σt。π系数取决于电阻在硅晶体上的走向。因此，对于如图18所示的在具有（100）晶面的n型硅的边缘或方形膜上，沿<110>晶向制备的p型扩散电阻，该系数可近似表示为

（15）

图 18. 压电电阻在硅膜上的位置

电阻率的变化正比于作用应力，因而也正比于外加压力。膜上的电阻制备的方式使其具有相反极性的纵向和横向系数，因而电阻以相反的方向变化：

（16）

把R1和R2接入半桥电路并用E激发电桥时，输出电压为