在很多网友的心目中，要提升芯片性能，就要推动芯片工艺的进步，比如从7nm到5nm，再到3nm，再到2nm。

而过去的这些年，芯片厂商、晶圆厂商都是这么教育市场、教育消费者的，手机芯片、电脑从10nmn进步到7nm，再进步到5nm，再接着进入3nm……

事实上，当芯片进入到3nm后，要再提升工艺到2nm，甚至到埃米级（1埃米=0.1nm）是非常困难的，因为成本太高了，所以各大芯片厂商们，也一直在探索不靠提升芯片工艺，来提升芯片性能。

前几天台积电、ARM、英特尔等10大芯片厂商成立的Chiplet联盟，其实也是这个目的，通过封装各和种不同工艺，不同厂商的小芯片粒，达到工艺不变，性能提升的目的。

而在Chiplet联盟成立之外，台积电也办了另外一件事，那就是利用先进的3D封装技术，让7nm的芯片，比5nm还要强。

3月3日，英国的AI芯片公司Graphcore发布了一款IPU产品Bow，采用的就是台积电7纳米的3D封装技术，也是全球首颗3D封装的芯片。

这颗芯片的性能较上代提升了40%、功耗提升了16%，而单个封装中的晶体管数量超过了600亿晶体管。

按照业内人士的说法，如果这颗芯片采用5nm工艺，未必比现在强，也就是说在采用了3D封装技术后，7nm其实比5nm更强了。

3D封装技术究竟是什么技术？我们知道以前的芯片封装时，都是单个Die（硅片）进行封装，要想芯片性能好， 要么Die（硅片）的面积更大，要么工艺再提升。

而3D封装技术不一样，采用的是几块Die（硅片）垂直叠加在一起，搞几层一起封装成一颗芯片，这样减少了面积，减轻了重量，还提升了性能，因为单位面积内，Die的面积呈几倍增加，自然晶体管的数量也是成倍增加了。

事实上，这也有一点像之前网上曝光的所谓的华为双芯片叠加技术，用两块14nm的芯片叠加起来，实现7nm芯片的性能。

但这个更彻底一点，不是两颗芯片叠加，而是两块没封装的Die叠加，实现更强的性能，这远比封装成芯片后再叠加，强大的多，成本更低，性能更好，功耗也可控得多。

而这颗芯片的诞生，也证明了芯片性能的提升并不一定要提升工艺，也可以升级封装技术，向先进封装转移。

这无疑也是当前众多芯片厂商需要考虑和选择的另外一个方面了，特别是国内芯片工艺无法进步时，这种封装技术，更加重要。