DDR5内存超频需要动哪些参数？
电压：
先说说电压。很多小伙伴都知道DDR5内存起始电压不高，一般都在1.1V左右。但实际上DDR5的电压分成了2个，比如通过微星MEG Z690 UNIFY暗影主板的BIOS来看，除了一个内存电压，还有一个VDDQ，至于VPP那是内存激活电压。比如我超频到6200MHz，会把2个内存电压都设为1.35V，有的大神超频到7000MHz，会用到1.4~1.5V的电压。并且绝大多数情况下，VDDQ电压是要低于内存电压。
CPU电压方面除了上文提到的SA电压，还有2个非常关键，分别是CPU VDDQ和CPU VDD2，也其实之前的CPU内存控制器电压，DDR5内存才有。这2个电压在华硕主板上被写成是IVR以及MCV电压。不过在超频配搭上，不同颗粒的玩法还真不太一样。
其中CHH论坛有大神表示，其中三星颗粒会对CPU VDD2电压非常敏感，一般要控制在1.25-1.35V之间，太高反而会超频失败；CPU VDDQ电压一般区间在1.35~1.4V就可以了。而海力士颗粒则需要更高的CPU VDDQ电压，正常情况都要1.38V，要冲击高频率至少要到1.5V，CPU VDD2电压则维持在1.2V以上，一般不超过1.35V。
至于SA电压，使用带K处理器默认BIOS一般会给的比较高，一般情况下可不动，不过可以适当降一点电压，对于CPU有一定的降温左右。并且有时候过高的SA电压并不会让内存冲击更高的频率。
关于内存时序：
DDR5还是和DDR4一样，主要看看CL、tRCD、tRP、tRAS。而小参方面，依然可以延续“一壶茶、一包烟、几套小参玩一天”的时代。不过可能是因为DDR5频率过高，一些小参对于AIDA64跑分的影响不是很大，这个就等更专业的小伙伴来测试。我个人在超频上还是动的还是上述的几个参数。
ODT大法：
通过ODT大法可以降低CPU VDDQ和CPU VDD2，冲击更高的内存频率，不过我个人对于它们的配比还没有完全弄明白，所以个人目前还是自动模式。
防掉压设定
一般防掉压设为自动也没啥问题，有的大神建议使用Mode 4模式。
