文丨青琰纪史

编辑丨青琰纪史

采用分子束外延(MBE)方法，调节生长温度、V/Ⅲ束流比等参数在（001）GaAs衬底上生长了InAs/GalnSb超晶格薄膜。结果表明：InAs/GalnSb超晶格薄膜的最佳生长温度在385～395℃,V/Ⅲ束流比为5.7:1～8.7:1。

高能电子衍射仪(RHEED)原位观测到清晰的GaAs层（4×2）、GaSb层（1×3）和InAs层（1×2）再构衍射条纹。获得的超晶格薄膜结构质量较好。随着温度的升高材料的载流子浓度和迁移率均上升。

随着红外探测和成像技术在武器装备系统中的迅猛发展，光学制导将成为精确制导武器技术的主导。红外探测技术还被广泛应用于遥控、跟踪、预警、夜视、观测、瞄准以及医疗与自动控制等军事和国民经济诸多领域。

美国Los Alamos国家实验室的Smith等和美国海军实验室的Young-dale等[]指出了InAs/Ga₁-In,Sb超晶格材料用于红外探测的应用潜力，以其为代表的Ⅲ-V族Ⅱ类超晶格材料受到发达国家军方的重视，被视为有望替代TeCdHg(MCT)的首选材料。

由于量子点材料的阈值电流密度较低，所以在制作半导体器件上极具吸引力。InAs/GaInSb超晶格材料具有隧道暗电流低、俄歇复合率低、探测波长可调和面阻高等突出的优点，通过调节InAs层厚度、GalnSb层厚度和In含量等可改变InAs/GalnSb的能带结构。

所制作的红外探测器可实现在2～40μm之间的任意波段工作。随着红外焦平面阵列探测器在航空航天中的应用,InAs/GalnSb红外探测器将具有更广阔的应用前景。