通过重复进行Si蚀刻⇒聚合物沉积⇒底面聚合物去除,可以进行纵向的深度蚀刻。
侧壁的凹凸因形似扇贝,称为“扇贝形貌”。
成膜
ALD(原子层沉积)
ALD是Atomic Layer Deposition(原子层沉积)的缩写,是通过重复进行材料供应(前体)和排气,利用与基板之间的表面反应,分步逐层沉积原子的成膜方式。
通过采用这种方式,只要有成膜材料可以通过的缝隙,就能以纳米等级的膜厚控制,在小孔侧壁和深孔底部等部位成膜,在深度蚀刻时的聚合物沉积等MEMS加工中形成均匀的成膜。
MEMS的相关术语
来源:原点资讯(www.yd166.com)时间:2022-10-29 10:31:30作者:YD166手机阅读>>
通过重复进行Si蚀刻⇒聚合物沉积⇒底面聚合物去除,可以进行纵向的深度蚀刻。
侧壁的凹凸因形似扇贝,称为“扇贝形貌”。
成膜
ALD(原子层沉积)
ALD是Atomic Layer Deposition(原子层沉积)的缩写,是通过重复进行材料供应(前体)和排气,利用与基板之间的表面反应,分步逐层沉积原子的成膜方式。
通过采用这种方式,只要有成膜材料可以通过的缝隙,就能以纳米等级的膜厚控制,在小孔侧壁和深孔底部等部位成膜,在深度蚀刻时的聚合物沉积等MEMS加工中形成均匀的成膜。
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