一．填空题 1． 能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的_________，引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的_________的作用。（二阶导数，内部势场） 2． 半导体导带中的电子浓度取决于导带的_________（即量子态按能量如何分布）和 _________（即电子在不同能量的量子态上如何分布）。（状态密度，费米分布函数） 3． 两种不同半导体接触后, 费米能级较高的半导体界面一侧带________电，达到热平衡后两者的费米能级________。（正，相等） 4． 半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央，其导带极小值位于________方向上距布里渊区边界约0.85倍处，因此属于_________半导体。（[100]， 间接带隙） 5． 间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为_________；形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为________。（弗仑克耳缺陷，肖特基缺陷） 6． 在一定温度下，与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为_________，高于费米能级2kT能级处的占据概率为_________。（1/2，1/1 exp(2)） 7． 从能带角度来看，锗、硅属于_________半导体，而砷化稼属于_________半导体，后者有利于光子的吸收和发射。（间接带隙，直接带隙） 8． 通常把服从_________的电子系统称为非简并性系统，服从_________的电子系统称为简并性系统。（玻尔兹曼分布，费米分布） 9. 对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与_________有关，而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于_________的大小。（温度，禁带宽度） 10. 半导体的晶格结构式多种多样的，常见的Ge和Si材料，其原子均通过共价键四面体相互结合，属于________结构；与Ge和Si晶格结构类似，两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成_________和纤锌矿等两种晶格结构。（金刚石，闪锌矿） 11. 如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化，则具有这种能带结构的半导体称为_________禁带半导体，否则称为_________禁带半导体。（直接，间接） 12. 半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有_________、 _________ 、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。（电离杂质的散射，晶格振动的散射） 13. 半导体中的载流子复合可以有很多途径，主要有两大类：_________的直接复合和通过禁带内的_________进行复合。（电子和空穴，复合中心）
14. 反向偏置pn结，当电压升高到某值时，反向电流急剧增加，这种现象称为pn结击穿，主要的击穿机理有两种：_________击穿和_________击穿。（ 雪崩，隧道）
15. _________杂质可显著改变载流子浓度； _________杂质可显著改变非平衡载流子的寿命，是有效的复合中心。（浅能级，深能级）
二．选择题
1．本征半导体是指 （ A ）的半导体。
A． 不含杂质和缺陷 B． 电阻率最高
C．电子密度和空穴密度相等 D． 电子密度与本征载流子密度相等
2. 如果一半导体的导带中发现电子的几率为零，那么该半导体必定（ D ）。
A. 不含施主杂质 B. 不含受主杂质
C. 不含任何杂质 D. 处于绝对零度
3. 有效复合中心的能级必靠近( A )。
A. 禁带中部 B. 导带 C. 价带 D. 费米能级
4．对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级EF随温度上升而（ D ）。
A. 单调上升 B. 单调下降
C. 经过一个极小值趋近Ei D. 经过一个极大值趋近Ei
5. 当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（ A ）。
A. 1/n0 B. 1/△n C. 1/p0 D. 1/△p
6. 在Si材料中掺入P，则引入的杂质能级（ B ）
A. 在禁带中线处 B. 靠近导带底 C. 靠近价带顶 D. 以上都不是
7．公式
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中的τ是半导体载流子的（ C ）。
A. 迁移时间 B. 寿命
C. 平均自由时间 D. 扩散时间
8. 对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（ D ）靠近Ei。
A. Ec B. Ev
C. Eg D. EF
9. 在晶体硅中掺入元素（ B ）杂质后，能形成N型半导体。
A. 锗 B. 磷 C. 硼 D. 锡
10. 对大注入条件下，在一定的温度下，非平衡载流子的寿命与（ D ）。
A．平衡载流子浓度成正比 B．非平衡载流子浓度成正比
C．平衡载流子浓度成反比 D．非平衡载流子浓度成反比
11. 重空穴是指（ C ）
A. 质量较大的原子组成的半导体中的空穴
B. 价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴
C. 价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴
D. 自旋－轨道耦合分裂出来的能带上的空穴
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14. 把磷化镓在氮气氛中退火，会有氮取代部分的磷，这会在磷化镓中出现（ D ）。
A. 改变禁带宽度 B. 产生复合中心
C. 产生空穴陷阱 D. 产生等电子陷阱
15. 一般半导体器件使用温度不能超过一定的温度，这是因为载流子浓度主要来源于_________，而将_________忽略不计。（ A ）
A. 杂质电离，本征激发 B. 本征激发，杂质电离
C. 施主电离，本征激发 D. 本征激发，受主电离
16. .一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（ C ）。
A. 1/4 B. 1/e C. 1/e2 D. 1/2
17. 半导体中由于浓度差引起的载流子的运动为（ B ）。
A. 漂移运动 B. 扩散运动 C. 热运动 D. 共有化运动
18. 硅导带结构为（ D ）。
A. 位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个球形等能面
B. 一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的6个球形等能面
C. 一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的8个椭球等能面
D. 位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个椭球等能面
19. 杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（ B ）。
A.变大，变小 B.变小，变大 C.变小，变小 D.变大，变大
20. 与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（ A ）。
A. 比半导体的大 B. 比半导体的小
C. 与半导体的相等 D. 不确定
21. 一般半导体它的价带顶位于_________，而导带底位于_________。 （ D ）
A. 波矢k=0或附近，波矢k≠0 B. 波矢k≠0，波矢k=0或附近
C. 波矢k=0，波矢k≠0 D. 波矢k=0或附近，波矢k≠0 或k=0
22. 锗的晶格结构和能带结构分别是（ C ）。
A. 金刚石型和直接禁带型 B. 闪锌矿型和直接禁带型
C. 金刚石型和间接禁带型 D. 闪锌矿型和间接禁带型
23. 如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（ D ）。
A. 施主 B. 复合中心 C. 陷阱 D. 两性杂质
24. 杂质对于半导体导电性能有很大影响，下面哪两种杂质分别掺杂在硅中能显著地提高硅的导电性能 （ C ）。
A. 硼或铁 B. 铁或铜 C. 硼或磷 D. 金或银
25. 当施主能级ED与费米能级EF相等时，电离施主的浓度为施主浓度的（ C ）倍；
A. 1 B. 1/2 C. 1/3 D. 1/4
26. 同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果甲的相对介电常数εr是乙的3/4， mn*/m0值是乙的2倍，那么用类氢模型计算结果是（ D ）。
A. 甲的施主杂质电离能是乙的8/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4
B. 甲的施主杂质电离能是乙的3/2，弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9
C. 甲的施主杂质电离能是乙的16/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3
D. 甲的施主杂质电离能是乙的32/9，的弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/8
