将表达式1和2联立，可以得到这个关系式：

也就是，要想实现MOS管的ZVS，则必须满足这个关系式。

下图是MOS管输出电容Coss在不同耐压情况下的变化：

Ceq随VDS电压变化而变化，并且不是一个恒定值。从上图中可以看到，等效电容在VDS<50V或VDS>350V时呈指数减小或增加。这是因为功率 MOSFET 的输出电容是随 VDS 增加或减少的主要贡献元件。

从下图中可以看到功率 MOSFET 中的电荷分布特性随 VDS 而变化。

因此，在考虑 ZVS 条件时，还必须考虑 Ceq 的变化，因为功率 MOSFET 输出电容的放电时间也受 Ceq 的影响。

这个是死区时间的影响：