• 当VGS>VT且VDS增大时，由于漏电压增大，漏端附近的氧化层压降减小，这意味着漏端附近的反型层电荷密度也将减小。漏端的沟道电导减小，从而ID-VDS特性曲线的斜率减小，如图8-2所示。

• 当VGS>VT且VDS增大到漏端的氧化层压降等于VT时，漏极处的反型层电荷密度为零，此时漏极处的电导为零，这意味着ID-VDS的特性曲线的斜率为零,称为预夹断，如图8-3所示。

• 当VGS>VT且VDS>VDS(sat)时，沟道中反型电荷为零的点移向源端。如果UDS继续增大，夹断区随之延长，如图所示，而且UDS的增大部分几乎全部用于克服夹断区对漏极电流的阻力，漏电流ID为一常数，这种情形在ID-VDS对应于饱和区(恒流区)，如图8-4所示。

MOSFET的特性曲线

漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性。ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs。图中随着VGS增大，ID的斜率增大。原因是由于VGS增大，形成的反层型越厚，导通沟道电阻越小，ID的增长速度越快。

MOSFET有三个工作区域：截止区、饱和区和非饱和区，对应的输出特性曲线如图10所示。若电力 MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。