当Q1与Q2充分导通后（可控硅导通），A、K两极之间的压降很小，其实就是Q1发射结电压V_BE1 Q2集电极-发射极饱和电压V_CE2，这个电压称为正向通态电压V_TM（Forward On-State Voltage）

可以看到，V_AK的电压值最终全部加到电阻R2上面，整个过程就是由电压V_GK引发的“血案”，原来R2电阻上没有任何压降，V_GK电压触发可控硅后，V_AK电压就全部加在电阻R2上面了。

可控硅完全导通后，流过A、K两极的电流即为通态电流I_T（On-State Current），实际应用时，V_AK通常是交流电压（如220VAC），因此常将此参数标记为通态平均电流I_T（RMS），指可控硅元件可以连续通过的工频正弦半波电流（在一个周期内）的平均值，而此时流过G、K两极的电流即为门极电流I_G（Gate Current），这个门极控制电流不应超过门极最大峰值电流I_GM（Forward Peak Gate Voltage）

当V_AK是交流电源的负半周时，可控硅因为A、K两极加反向电压而阻断，此时允许施加的最大电压称为反向重复峰值电压V_RRM（Peak Repetitive Reverse Blocking Voltage），由于可控硅阻断时的电阻不是无穷大，此时的电流称之为反向重复峰值电流I_RRM（Peak Repetitive Reverse Blocking Current）。

这两个值与之前介绍的I_DRM、V_DRM是一样的，只不过I_DRM、V_DRM是在控制G极断开、可控硅阻断状态下测量的，而I_RRM、V_RRM是在可控硅A、K极接反向电压下测量的。

如果在可控硅阳极A与阴极K间加上反向电压时，开始可控硅处于反向阻断状态，只有很小的反向漏电流流过。当反向电压增大到某一数值时，反向漏电流急剧增大，这时，所对应的电压称为反向不重复峰值电压V_RSM（Peak Non-Repetitive Surge Voltage）。

上面我们只是把R2（与R1）作为象征性的限流电阻，其实R2完全可以是负载，如电灯泡，如下图所示：

当G、K两极没有加正向电压时，A、K之间相当于是断开的，灯泡不亮

当G、K加上正向电压后，A、K之间相当于短路，所以V_AK电压全部加在电灯泡上使其发光。

由地盘之争引发的“血案”就此完结！

但是还有下文哦！

如果在A、K之间充分导通后，我们拿掉电压V_GK企图让灯泡熄灭，如下所示：

很遗憾，没有成功，灯泡还是一往无前地发射出嘲笑我们的刺眼光芒，因为这个时候V_GK已经没有利用价值了，尽管没有V_GK，可控硅内部还是会有三极管电流正反馈维持可控硅的继续导通。

在门极G开路时，要保持可控硅能处于导通状态所必须的最小正向电流，称为维持电流I_H（Holding current）。还有一个擎住电流I_L（Latch current），是可控硅刚从断态转入通态并移除G极触发信号后，能维持导通所需的最小电流。对于同一可控硅，通常I_L约为I_H的数倍。

导演，我没看懂这两者有什么区别！其实这与数字电路中的电平是相似的，如下图所示：