根本区别在于基础检出信号不同。以及相应的电路和构造不同。

电容式变送器的基础信号是电容量； 扩散硅变送器的基础信号是电阻值。

电容式在压力作用下敏感元件的膜片发生位移，导致膜片与相邻电极构成的电容量发生变化而检出压力； 扩散硅在压力作用下敏感元件的膜片发生位移，产生的力作用在扩散硅材料商，使扩散硅的阻值变化而检出压力。

电容式利用的是物理性质，所以主要受制造水平的限制； 扩散硅利用的是材料的物理性质，所以受材料影响较大。

扩散硅在体积、价格上有优势；但受扩散硅材料的稳定性影响，寿命的精度较差。