固态硬盘作为一种存取速度明显高于机械硬盘的外部存储器，目前已经普及。但是可能有一个问题容易被大家忽视：

这是为什么呢？

固态硬盘的存储单元是由NAND flash构成的，NOR flash和NAND flash都是是由日本科学家富士雄1986年发明的。但随即被东芝公司埋没，被INTEL捡漏，最终发扬于韩国。我们国内目前也在赶超这项技术。

手机上的NAND flash

存储单元NAND flash的原理通俗来讲是把电子困在浮栅陷阱之中，不通电情况下固态硬盘中的电子会开始从浮栅晶体管中逃离，最终会导致浮栅晶体管的电压状态改变，我们通过读取电压状态确定1和0，电漏光全部变1，就会导致数据全部损坏。而在正常通电情况下，擦写操作过程中电流量更高，可以保证浮栅晶体管的电压稳定性从而保证数据存储有消息。

也可以理解为固态硬盘中存储的信息是要靠不断补充电能保持住的。长期不通电，电漏光信息保持不住，数据就丢失了。

JEDEC标准组织也对已用尽的固态硬盘产品进行了行业标准规定，要求消费级产品关机断电后在30℃情况下至少要保存1年的时间，企业级产品关机断电后在40℃情况下至少保存3个月时间。温度越高越容易导致浮栅保持不住电子，要是温度达到55℃，14天就有可能丢失数据。

各种容量的SSD

另外即使长期不通电，固态硬盘全部数据丢失后也不会导致固态硬盘损坏，无非是没有数据，得到一块空盘。