(2)主要参数
稳定电压U:规定电流下稳压管的反向击穿电压
稳定电流I:稳压管工作在稳定状态时的参考电流。电流低于此值时稳压效果变坏,甚至根本不稳压,只要不超过稳压管的额定功率,电流越大稳压效果越好。
【附加】限流电阻:由于稳压管的反向电流小于I时不稳定,大于最大稳定电流时会因超过额定功率而烧坏,故要串联一个限流电阻保证稳压管正常工作。
额定功率P:等于稳定电压U与最大稳定电流I的乘积。超过此值时稳压管会因为结温度过高而损坏。
动态电阻r:在稳压区,端电压变化量与电流变化量之比。r越小,说明电流变化时稳定电压的变化越小,稳压特性越好。
温度系数α:表示电流不变时,温度每变化1℃稳压值的变化量,即α=△U/△T。
U<4V时,α为负值,即温度升高时稳定电压值下降;
U>7V时,α为正值,即温度升高时稳定电压值上升;
4<U<7V时,α很小,近似为零,性能稳定。
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双极型晶体管——晶体三极管——半导体三极管——晶体管的结构、特性及主要参数
(1)主要以NPN型硅管为例讲解放大作用、特性曲线和主要参数
放大是对模拟信号最基本的处理。晶体管是放大电路的核心元件,它能控制能量的转换,将输入的任何微小变化不失真地放大输出,放大的对象是变化量。
Ie:发射区杂质浓度高,基区杂质浓度低,大量自由电子越过发射结到达基区。
Ib:基区很薄,杂质浓度低
Ic:集电结外加反向电压且结面积较大,基区的非平衡少子越过集电结到达集电区,形成漂移电流。可见,在Vcc的作用下,漂移运动形成集电极电流Ic。
(2)特性曲线