这种依赖性对于像GaN这样的宽带隙材料来说是预期的，并且对于β-SiC中的离子注入p-n结已经有报道。在我们的例子中，隔离器可能位于非理想p欧姆接触下方，其长度估计约为150。在这种情况下，串联电阻随着电压从5V时的50ω下降到10V时的10ω。

不幸的是，由于这种限制，当二极管发光时(电压高于3V),我们的器件中的I-V特性不能提供关于结中涉及的电流机制的信息，因此可能发生隧穿、产生-复合和/或扩散过程。

为了研究其电致发光特性，二极管由Keithley220直流可编程电流源和能够提供50MHz带宽电压脉冲的HP8116A函数发生器激励。使用锁定技术，用高分辨率HTR-1000Jobin芮伟航单色仪和GaAs光电倍增管测量EL光谱。白光也由紫外增强硅光电探测器探测到。

对于直流和交流激励，已经研究了在增加电压下EL光谱的演变，除了在直流操作下更明显的热效应之外，两者产生相似的行为。在不同交流偏压条件下记录的EL光谱如图3所示。在低偏压下，观察到宽的蓝移可见带，而在高电压下，尖锐的UV峰成为主导。

此外，在低偏压下完全不存在的560nm处的典型黄色带(YB)通过电流注入而增强。在光谱中看到的振荡模式是由于法布里-珀罗干涉。

由于内部光吸收，线型在高能量下突然降低。已经从结的p侧和n侧记录了EL光谱，后者更强，因为光主要产生在上接触下面。p-GaN还会轻微地重新吸收紫外光，因为对于n侧发射，紫外光与可见光之比稍大一些。