可见光发射在3V激发下表现为以550nm为中心的宽而弱的带，对于高注入(或脉冲振幅)，其强度增加并向下移动到430nm。应该清楚的是，这种*涉及深中心不浅受主，因为在390nm没有观察到发射。该转变并不表现为典型的DAP，因为它经历了非常大的偏移，这表明缺陷位于宽的多级带中。

能量转移是由于最低能级的饱和，无论它们是作为深施主还是作为深受主。在InGaN中也观察到了在增加的偏压下可见带的移动行为和同质结MOCVDGaN发光二极管,在大多数情况下，它被解释为由于隧道传输通过一个或几个中间状态穿过结。

在高Mg掺杂的GaN层中的低温PL中也观察到宽的蓝紫色发射,激发强度增加20年，该带蓝移约100兆电子伏，其方式与在电流增加的EL光谱中观察到的可见发射相同。无论涉及何种电流机制，蓝色复合过程都发生在结的p侧。

在不同温度下记录的EL光谱如图4所示对于相对较低的电流注入(4K时约10A，RT时约10mA)。4K的主要发射峰在388nm(3.20eV)，这是由于残余施主和浅受主(DAP)之间的复合。

然而，这种发射被热猝灭，并且在室温下观察到涉及深能级的430nm(2.88eV)的带。LED操作中的这种显著变化可以通过浅受主的电离和施主(残余或扩散的Si)的存在进行补偿来解释。

为了阐明深能级的性质，需要对EL谱进行更仔细的研究。在不同的脉冲激励条件下，通过改变脉冲持续时间tON或固定脉冲振幅下的占空比δ，已经进行了一些EL实验。

数字6显示了脉冲激发下记录的EL光谱，其中7V脉冲的持续时间不断增加。每个光谱已经被重正化，以给出脉冲处于ON状态时的平均光谱强度。假设设备在脉冲激活之前被关闭足够长的时间(长t离开)。

观察到从370到375nm的小红移t在…上可能是由于长时间发光时器件发热。紫外发射随时间恒定，表明电子和空穴的连续供应。相反，430nm处的蓝色发射显示出明显的衰减，这归因于由于受体的长弛豫时间而抑制了这种复合路径。该带的EL强度绘制在图7中相对于脉冲持续时间，从其指数拟合。

为了获得关于受体τ的弛豫时间的直接信息10二极管由固定持续时间和可变频率的脉冲激励f或占空比δ=f·t在…上=t在…上/(t在…上 t离开),图中显示了在200kHz和4MHz之间的7V、200ns脉冲下获得的EL光谱(占空比δ分别为0.04至0.8)。

测量的强度已经被校正，以给出每个脉冲中发射的平均光。紫外线辐射不依赖于δ(即，依赖于静止时间t离开)，而可见光强度随着δ明显降低。换句话说，需要很长的时间使所涉及的受体重新充满空穴。这个弛豫时间是通过拟合强度vs获得的t(=t离开)来表达。

支配EL响应的深能级(宽且红移的紫-蓝带)是由于与Mg相关的缺陷的存在，其形成连续状态，如上所述，而UV发射主要是由于带-带复合。紫外-蓝光比随着脉冲振幅的增加而增加，如图3所示指出可见光发射中涉及的深缺陷的饱和。此外，对于固定振幅，脉冲越长，紫外/可见光比率越高。换句话说，注入的载流子首先被产生蓝带的态俘获。

此外，恒定脉冲持续时间下的紫外-可见光发射比通过使用高占空比进行优化，以便阻挡可见波段发射。为了改善UV发射，对脉冲偏置的振幅、持续时间和占空比的所有这些要求都有助于加热器件。