▲SM2267XT由28nm工艺制造，SoC部分使用了双核心ARM Cortex R5处理器，NAND支持4通道4CE，NAND IO接口速度为1200MT/s，持续读写最大速度为3900/3500 MB/s，4K随机读写最大速度为500K/500K IOPS。这个参数相对SMI的旗舰消费级主控SM2264来说降规了不少。
说句题外话，其实Plextor这么多年产品线一直没有低阶这个概念，只有中阶和高阶，本次M10系列的高阶为采用了InnoGrit IG5236 BiCS4 HDR NAND的M10P系列，而中阶的M10E却意外的没有采用PCIe Gen3的InnoGrit IG5216转而采用了PCIe Gen4的SMI SM2267XT ，直接配上了最新的BiCS5 HDR NAND。这确实令我有点意外，难道Plextor的意图是直接全线升级PCIe Gen4么？
▲Kioxia TH58LKT2X25BAEF NAND是KIOXIA BiCS5，112层堆叠3D TLC，因为BiCS5首发的依然是512Gb（64GB）Die，所以TH58LKT2X25BAEF依然是8Die 2CE，NAND IO接口速度为1200Mb/s。
其实Kioxia/WD的BiCS NAND的历史还是蛮有特点的：
▲历年ISSCC会议厂商公布的Roadmap
可以发现，历年来Kioxia/WD在ISSCC公布的数据和实际发布的数据还是有很大差异的：
对于2018公布的96层BiCS4而言，其IO速度就直接从64层的BiCS3的533Mb/s提升到了800Mb/s，其具体的产品应用举例Plextor M9P和M9P Plus来举例说明：
▲Toshiba TH58TFT1T23BAEF NAND是KIOXIA BiCS3，64层堆叠3D TLC，256GB容量，8Die 4CE。被使用在Plextor M9PeGN 1TB 上，板载4颗，正反面各两颗，
