MOS管，是MOSFET的缩写，简称场效应管；

特点：具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成；

分为NMOS,PMOS两种，其原理图符号及电流流向如下图：

常用电路有如下几种：

1， 开关控制，如下图

控制逻辑：

对于NMOS，VGS大于阈值电压时，MOS管导通，此时VGS为正；

对于PMOS，-VGS大于阈值电压时，MOS管导通，此时VGS为负；

2，电平转换，如下图

电平转换原理：

A高电平时，mos管关断，B拉高到3.3V；

A低电平时，mos管打开，B为电平；

B高电平时，若此时MOS管关断，侧A为1.8V，状态不变，

若此时MOS管打开状态，A拉高至1.8V后，mos管关断，A保持1.8V；

B低电平时，若此时MOS管关断，侧A为1.8V，通过二极管拉低至低电平，

若此时MOS管打开状态，A被拉至电平；

备注：初始上电B会有一个高电平的跳变，电路设计时对该跳变敏感的电路，不能使用该方案。