MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。
场效应管的输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
通常情况下，高压MOSFET部件采用两种基本制程技术，一种是比较传统的平面制程，另一种是较新的电荷平衡技术。平面制程非常稳定和耐用，但是对于确定的活动区与崩溃电压，其导通阻抗RDS(on)远远高于电荷平衡技术。对于特定的RDS(on)，活动区大小的显著差异会通过输出电容与闸极电荷影响到MOSFET组件的热阻与开关速度等其它特性。
MOSFET通常的作用包括：场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。场效应管可以用作可变电阻。场效应管可以用作电子开关。场效应管可以方便地用作恒流源。
场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是既有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件。有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比三极管好。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
作为国内专业从事分立器件制造的厂商，合科泰采用PDFN5X6封装的HKTG48N10型号的高压MOSFET产品，得到广大客户的认可。HKTG48N10场效应管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点，被客户广泛应用。
HKTG48N10具有如下特性：z低导通电阻、z开关速度快、易于设计的驱动电路、z易平行等。机械数据：外壳材料:模塑塑料、UL可燃性、等级是94V-0、重量约0.016克。
