9.刻蚀：将硅片放入容器中进行化学刻蚀，通常使用氢硝酸和氢氟酸腐蚀掉表面约20到50微米左右的厚度，来去除之前的打磨过程中硅片积累的机械损伤，以及混入硅片表层的磨料。

10.化学机械抛光：到此经过一系列打磨和刻蚀之后，硅片表面已经很光滑了，但用来制造芯片它还不够光滑，根据2004年的国际半导体技术发展蓝图十二寸硅片的整体平整度要小于五十一纳米，这相当于在电影院挂一块imax幕布，其起伏程度比一根头发丝还要细。

这一步是结合了物理和化学的理综型抛光手段，具体做法是将硅片装载到旋转的抛光仪器上下降到下方，表面薄层会先被研磨液化学氧化，再被抛光垫物理打磨。这一步硅片厚度会被打薄五微米左右，直到被抛光成完美的镜面。通常对八英寸硅片进行单面抛光，十二英寸硅片进行双面抛光，这样就得到了一枚抛光片。

11.清洗：最后还要用去离子水和各种化学溶剂进行清洗，去掉制程中粘附在硅片表面上的各种尘埃和杂质。

除了要严格控制污染物密度之外，还要控制颗粒大小。在先进制程中能允许的单个颗粒物直径最多只有几纳米，而一例流感病毒的直径就能有100纳米，细菌就更大了，所以很多硅片厂工人得了感冒必须休假，否则打一个喷嚏都可能污染芯片，这也是为什么疫情对芯片产能打击格外严重的原因之一。

12.封测包装：在平整度和清洁度之外，硅片还要保证翘曲度、氧含量、金属残余量等指标，要经过电镜检查、光学散射检查等各种检测达标后，一张用于制造芯片的硅片才终于诞生了。

它将被放在充满氮气的密封盒里，送往晶圆厂开始下一段旅程。

来到晶圆厂最主要的操作就是光刻，光刻，顾名思义就是用光来雕刻，为什么是光？因为他快，在我们所处的宇宙中，光就是速度的极限。

光是如何被驾驭用来刻出新片的呢？答案是通过光掩膜、光刻机、和光刻胶。

13.光掩模：光掩膜是芯片的蓝图，是一张刻有集成电路版图的玻璃遮光板，刻机就像一台纳米机的打印机发光，将光掩模上的图形投射在硅片上。