到目前为止，半导体材料已经过了三个发展阶段 —— 第一代半导体是硅(Si)，第二代半导体是砷化(GaAs)，第三代半导体又称宽带隙半导体(WBG)则是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。
虽然这个领域并没有“后浪拍前浪，前浪死在沙滩上”的说法，以GaN和SiC为代表第三代半导体正处于高速发展的阶段，Si和GaAs等第一、二代半导体材料也仍在产业中大规模应用，但不可否认，第三代半导体确实具有更多的性能优势。
随着5G、电动车时代来临，科技产品对于高频、高速运算、高速充电的需求上升，硅与砷化镓的温度、频率、功率已达极限，难以提升电量和速度；一旦操作温度超过100度时，前两代产品更容易出故障，因此无法应用在更严苛的环境；再加上全球开始重视碳排放问题，因此高能效、低能耗的第三代半导体必然成为新时代下的宠儿。
第三代半导体在高频状态下仍可以维持优异的效能和稳定度，同时拥有开关速度快、尺寸小、散热迅速等特性，当芯片面积大幅减少后，有助于简化周边电路设计，进而减少模组及冷却系统的体积。
看到此处大家应该明白，为什么我们的手机充电时，充电器会发热的原因在哪里了吧！
手机充电器容易发热现象在高端品牌手机里面早已不是问题，因为他们都用到了氮化镓（半导体）作为充电器的最主要材料。
目前手机充电器已经进入了快充时代，什么18w、65w、80w功率的手机快充电器琳琅满目，功率单位当然是越大越好。
如果具备氮化镓充电头技术的快充电器功率是100w，手机内置元器件也加入氮化镓代替原来半导体材料呢？只是目前国内外拥有该技术的手机企业可谓是凤毛麟角，但国内的一家企业就做到了，那就是前OPPO的高管李炳忠在深圳创立的真我realme智能手机品牌的研发团队。
