正装与倒装
2.1 倒装芯片凸点植球工艺
倒装芯片凸点包括金/镍凸点、焊凸点和铜柱柱。目前，C4凸点是最常用的，构成材料不限；对于更高密度和细间距的封装场景，则是使用具有C2凸点，由铜柱 不限焊料的盖组成。
两者形状见下方安靠的示例图，可以看到C4是球形的焊接点，而C2则是柱状球顶，后者更小更密。
母/女/外婆翻译来很尴尬，不翻了
两者植球工艺对比铜材料的特性参数见下表：
结构 | 热导率 （W/m·K） | 电阻率 （μΩ·m） | Bump pitch | 自对准特性 Self-alignment |
Cu | 400 | 0.0172 | - | - |
C4 凸点 （Solder） | 55-60 | 0.12-0.14 | ≥50μm | 吊炸天 |
C2凸点 （Cu Pillar Solder Cap） | 300 | 0.025 | ＜50μm | 很菜 |
接下来讲芯片与芯片/芯片与载板之间的凸点相连、以及相互之间完成贴合的工艺。
2.2 倒装芯片键合与组装工艺
给出了五种典型工艺场景，涉及CUF（毛细管底部填充）工艺、T. C. Bond热压（键）合、
绝缘膏（NCP，图c）、绝缘薄膜（NCF，图d），结合下图（a-d）很好理解，都是经凸点实现电气相连，再通过绝缘胶质实现芯片间或芯片与载板之间的物理相连；区别是连结条件有所不同：凸点类型区别、涂胶方法区别、实现键合的材料不同。
无凸点键合（图e）抽象些，直接看图。
实现电气互连的不同封装场景
2.3 混合键合工艺
混合键合同时包含了电介质键合与金属键合，是一种低温的直接键合互连技术（DBI），可在室温下进行，并在150-300℃下退火，由美国三角研究中心发明，最开始是申请了同质键合的ZiBond发明，并在2004-2005年进一步发展为金属&电介质的低温条件的直接键合互连技术。2015年其孵化公司被Tessera收购，而后者之前已经和索尼结束撕逼、重启合作，索尼在CMOS图像传感器（以下简称CIS）领域将DBI发扬光大。
下图给出了混合键合的典型工艺步骤，图中是双芯片bumpless无凸点键合的示意图，通过CMP化学机械抛光和等离子激活得到两个平整光滑的活化表面，对准各自的线路点，通过经活化后的介质表面通过化学键作用完成贴合，并在后续退火处理阶段，金属线路部分因膨胀系数差填满缝隙，键合完成。
简易键合流程示意
2.4 索尼CIS大法好
大法是首个将低温无凸点铜-铜DBI实现大规模量产的厂商，例如2016年上市的Galaxy S7所使用的型号IMX260的背照式CIS。电学测试结果表明，它们具有良好的连通性和可靠性。图像传感器的性能也非常出色。IMX260 BI-CIS的顶部和横截面视图如下图所示。可以看出，与堆栈式CIS不同的是，IMX260通过铜键合实现CIS晶圆与ISP晶圆之间的互连，而并非TSV。
一般而言，晶圆对晶圆的键合是两片尺寸一致的晶圆，而IMX260中的ISP晶圆略大于CIS像素晶圆，为了进行晶圆与晶圆的键合，必须浪费部分像素晶圆的区域，但它可以用于线键合焊盘。Cu - Cu - DBI的组装过程首先是晶圆片的表面清洗、金属氧化物去除和SiO2的活化（通过湿法清洗和干法等离子体活化）。
