MOS管表面温度在25℃或更高温度下,可允许的最大连续直流电流。从测试条件可以看出,在同样条件下MOS管的温度越高,ID越小。原因是内阻随着温度的增高而增大,根据I=U/R可知,内阻跟电流成反比,内阻越大,通过的电流越小,带载能力越弱。
4. IDM峰值漏电流
该参数反应了MOS管能通过的最大脉冲电流,它远大于连续通过的电流。如果长时间工作在此电流下,管子将会失效。因此,在实际工作中,需将电流设置在ID范围内。
5. RDS(on)导通内阻
内阻是个比较重要的参数,内阻越小,带载能力越强。温度对内阻的影响比较大,如图:
随着温度的升高,内阻增大,内阻越大,管子本身消耗的能量越大,管子发热就越严重,情况会越来越糟,所以一定要控制MOS管的温度,一般不超过105℃。
6.Vgs(TO)阈值电压
注意Vgs(to)具有负温度系数特性,温度越高,开启电压越低,高温时接近1.5V管子就会开启。有些管子高温时约为零点几伏,这样只要在栅极有一个很小的尖峰就可能导致管子误开通,从而引起系统的不稳定。
7.Qg,Qgs,Qgd栅电荷
Qg栅电容的充电电荷。这个值跟驱动电路有很大关系。驱动电流的大小通常会参考Qg的值,然后估算出驱动电流值。
8.td(on)导通延时时间、tr上升时间、td(off)关断延时时间、tf下降时间、td(off)关断延时时间,示意图如下: