随着大陆 LED 和面板产业逐步成熟，以三安光电、京东方、华星光电 为代表的国内行业龙头企业纷纷加紧研发，力图实现技术追赶。7 月 29 日，三安光电在湖北省鄂州市 Mini/MicroLED 芯片产业化项目举行开工 仪式，总投资达120亿元。年初京东方决定与美国Rohini公司开展合作， 布局巨量转移技术。而后华星光电在美国国际显示周及 SID 年会展上， 展示了 IGZO TFT 主动式 MicroLED 显示屏，作为全球首次将 IGZO 技 术应用于 MicroLED 显示的产品，它可以实现大尺寸背板驱动，集高色 域、高对比、高亮度、高穿透、低功耗五大特点于一身。

相较传统 LED 显示产品，MicroLED 生产工艺有明显不同。制造难点主要集中在 MicroLED 芯片制造、巨量转移、驱动电路设计等方面。

4.3.2. 专利集中在芯片、转移、驱动三个领域，集中体现了竞争焦

4.3.2.1. 芯片：晶片微缩化制程难度高

磊晶的光效率会随 LED 晶片尺寸的微缩而下降。磊晶（Epitaxy）在 LED 芯片中，指在蓝宝石、GaAs、硅等衬底上，通过 MOCVD 加工，生产 具有特定单晶薄膜外延片的过程。MicroLED 晶片尺寸在 100um 以下， 光效率较传统 LED 芯片下降较大。采用一般的电感耦合等离子体（ICP, Inductive Coupled Plasma）蚀刻技术的制造工艺，因等离子的影响，LED 的侧面容易出现缺陷。特别是，LED 的尺寸越小，有缺陷的侧面的比例 就越高。电流密度区域如果在 20A/cm2 以下，发光效率会急剧下降。

MicroLED 晶片制程技术上与传统 LED 芯片明显不同。最大的差异体 现在晶片结构上，由于 MicroLED 晶片尺寸过小，正装芯片必须的打线 技术已经无法适用，必须使用倒装或垂直结构。倒装结构中，为使晶片 从另一侧发光，需将原有蓝宝石衬底剥离。此外，晶片的侧翼绝缘层、 弱化结构和生产晶片的无尘室等级也有显著区别。

MicroLED 晶片良率难以提升。一般大小的 LED 晶片（约 250*250μm） 在生产时，侧壁总会出现 1-2μm 的缺陷，这是在合理的公差范围之内， LED 晶体管仍有 97% 的可用面积。可一旦生产精度达到 MicroLED 晶片 大小，就算是1μm-2μm的缺陷也足以导致破坏性的影响，导致MicroLED 的可用面积变得极其微小，只有 4%左右——为了保证良率，对 MicroLED 晶体管的设计、生产工艺又提出了更高的要求。